0304072 - URE-Y 20020116 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Kinder, R. - Srnánek, R. - Walachová, Jarmila - Hulényi, L. - Tlaczala, M. - Sciana, B. - Radziewicz, D.Profiling of a GaAs structure using the probe method.
Piscataway: IEEE, 2002. ISBN 0-7803-7276-X. In:
ASDAM'02. Proceedings of the Fourth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. - (Breza, J.; Donoval, D.), s. 231-234
[Advanced Semiconductor Devices and Microsystems - ASDAM'02 /4./. Smolenice (SK), 14.10.2002-16.10.2002 (K)]
Grant CEP: GA AV ČR KSK1010104 Projekt 04/01:4045
Grant ostatní: GA Vega(SK) 1/7613/20
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: impurity distribution * measurement
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114216
