Košík

0303868 - URE-Y 20010046 CZ eng K - Konferenční příspěvek (tuzemská konf.)
Grym, Jan - Procházková, Olga - Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel
Characterisation of InP layers prepared by the LPE method with Pr and Nd addition in the growth melt.
Prague: Czech Technical University, 2001. CTU Reports., Vol. 5, 2001 Sp. Issue. ISBN 80-01-02335-4. In: Proceedings of Workshop 2001., s. 450-451
[Workshop 2001. Prague (CZ), 05.02.2001-07.02.2001 (W)]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0341; GA AV ČR KSK1010601 Projekt 7/96/K:4073
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: liquid phase epitaxial growth * rare earth compounds * III-V semiconductors
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114052