0303799 - URE-Y 20010077 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Procházková, Olga - Zavadil, Jiří - Žďánský, Karel
Role of ç-elements in the growth of InP layers for radiation detectors.
Crystal Research and Technology. Roč. 36, 8/10 (2001), s. 979-987. ISSN 0232-1300. E-ISSN 1521-4079.
[Polish Conference on Crystal Growth /PCCG 6./. Poznan, 20.05.2001-23.05.2001]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0341; GA AV ČR KSK1010104 Projekt 04/01:4043
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: liquid phase epitaxial growth * rare earth metals * semiconductor materials
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Impakt faktor: 0.536, rok: 2001
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113983