Košík

0303686 - URE-Y 20000043 RIV CN eng J - Článek v odborném periodiku
Žďánský, Karel - Procházková, Olga - Nohavica, Dušan
Temperature dependence of electron Hall concetration in n-type InP and n-type In_0.5Ga_0.5P.
Science Foundation in China. Roč. 7, č. 2 (1999), s. 25-29
[Chinese-Czech Symposium Advanced Materials and Devices for Optoelectronics /2./. Beijing, 13.09.1999-14.09.1999]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0341
Grant ostatní: AV ČR(CZ) KSK1010601 Projekt 7/96/K:4074
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: III-V semiconductors * Hall effect
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113873