Košík

0303119 - URE-Y 970134 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
Gladkov, Petar - Monova, E. - Weber, J.
Photoluminescence characterization of Te-doped GaSb layers grown by liquid-phase epitaxy from Bi-melts.
Semiconductor Science and Technology. Roč. 12, č. 11 (1997), s. 1409-1415. ISSN 0268-1242. E-ISSN 1361-6641
Grant CEP: GA AV ČR(CZ) IAA167108
Grant ostatní: Deutsche Forschungs Gemeinschaft(DE) 436 TSE 113/22/0
Klíčová slova: photoluminescence * liquid phase epitaxial growth
Impakt faktor: 1.141, rok: 1997
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0113406