Košík

  1. 1.
    0302597 - URE-Y 940121 US eng J - Článek v odborném periodiku
    Žďánský, Karel
    Temperature dependence of equilibrium electron density in AlGaAs governed by Sn-related DX centers.
    Applied Physics Letters. Roč. 65, č. 15 (1994), s. 1933-1934. ISSN 0003-6951. E-ISSN 1077-3118
    Grant ostatní: GA AV(CZ) IAA167108
    Klíčová slova: semiconductor doping * impurities
    Impakt faktor: 3.072, rok: 1994
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0112975
     
     

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.