Košík

0302443 - URE-Y 930052 RIV US eng J - Článek v odborném periodiku
Žďánský, Karel - Peaker, A. R.
Low-temperature decay of photocapacitance caused by Sn-related DX centers in Al_xGa_1-xAs.
[Nízkoteplotní zánik fotokapacity v AlGaAs způsobené DX centry vztaženými k Sn v Al_xGa_1-xAs.]
Applied Physics Letters. Roč. 62, č. 12 (1993), s. 1393-1395. ISSN 0003-6951. E-ISSN 1077-3118
Grant CEP: GA AV ČR IAA167108
Klíčová slova: semiconductor doping
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 3.503, rok: 1993
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0112862