Košík

0302311 - URE-Y 920071 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
Novotný, Jan - Vyhnalík, Luděk - Zelinka, Jiří
Preparation of high-quality InGaAsP/InP heterostructures for edge-emitting 1.3 ćm LED's.
Crystal Research and Technology. Roč. 28, č. 1 (1993), s. 19-27. ISSN 0232-1300. E-ISSN 1521-4079
Grant CEP: GA ČR GA102/93/0642
Výzkumný záměr: Ústavní úkol č. 0120
Klíčová slova: light emitting diodes * III-V semiconductors * semiconductor materials * liquid phase epitaxial growth
Impakt faktor: 0.333, rok: 1993
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0112774