Košík

  1. 1.
    0367077 - FZÚ 2012 FR eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Hulicius, Eduard - Kuldová, Karla - Vyskočil, Jan - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav
    Influence of capping layer growth parameters on the properties of MOVPE grown InAs/GaAs quantum dots.
    IC-MOVPE XIV. Metz: UMI2958 GT-CNRS, 2008, s. 101-102.
    [International Metal Organic Vapor Phase Epitaxy Conference /14./. Metz (FR), 01.06.2008-06.06.2008]
    Grant CEP: GA AV ČR IAA100100719; GA ČR GA202/06/0718
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: InAs/GaAs * quantum dots * MOVPE * RAS
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0201862
     
     
  2. 2.
    0163403 - UACH-T 20023101 RIV DE eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Hálová, Jaroslava - Žák, Přemysl - Stopka, Pavel - Yuzuri, T. - Abe, Y. - Sakakibara, K. - Suezawa, H. - Hirota, M.
    Structure-Sweetness Relationships of Aspartame Derivatives by GUHA.
    Discovery Science. Lübeck: Springer, 2002, s. 291-296. ISBN 3-540-00188-3.
    [International Conference, DS 2002 /5./. Lübeck (DE), 24.11.2002-26.11.2002]
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z4032918
    Klíčová slova: GUHA method
    Kód oboru RIV: CA - Anorganická chemie
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0060645
     
     

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.