Košík

0134447 - FZU-D 20030347 RIV RU eng J - Článek v odborném periodiku
Moiseev, K. D. - Mikhailova, M. P. - Yakovlev, Yu. P. - Oswald, Jiří - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Šimeček, Tomislav
Electroluminescence in a semimetal channel at a single broken-gap heterointerface of type II.
Semiconductors. Roč. 37, č. 10 (2003), s. 1185-1189. ISSN 1063-7826. E-ISSN 1090-6479
Grant ostatní: Russian Fondation for Basic Research(RU) 02-02-17633; GLADIS(XE) IST-2001-35178
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: GaInAsSb * InAs * electroluminescence * broken-gap * II type heterointerface * semimetal channel
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 0.643, rok: 2003
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0032349