Košík

0133871 - FZU-D 20020050 RIV CZ eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hazdra, P. - Voves, J. - Oswald, Jiří - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav - Petříček, Otto - Kuldová, Karla
Characterization of lasers with ë-InAs layers in GaAs.
80-01-02511-X. In: Proceedings of Tenth Annual university-wide seminar WORKSHOP 2002. Praha: CTU Publishing House, 2002, s. 424-425. CTU Reports.
[Annual university-wide seminar WORKSHOP 2002 /10./. Praha (CZ), 11.02.2002-13.02.2002]
Grant CEP: GA ČR GA102/99/0414
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914; CEZ:MSM 212300014
Klíčová slova: semiconductor lasers * isovalent ë layers * InAs * GaAs * electroluminescence
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0031822