Košík

0133463 - FZU-D 20010315 RIV JP eng J - Článek v odborném periodiku
Harada, K. - Ishii, M. - Senguttuvan, N. - Kobayashi, M. - Nikl, Martin - Feng, X.
Scintillation characteristics and radiation damage of Ce-doped Bi₄Si₃O₁₂ single crystals.
Japanese Journal of Applied Physics. Roč. 40, 3A (2001), s. 1360-1366. ISSN 0021-4922. E-ISSN 1347-4065
Grant CEP: GA MŠMT ME 159
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: Bi_4Si3O_{12 * scintillator * radiation hardness * light yield * decay constant
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Impakt faktor: 1.249, rok: 2001
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0031428}