0105963 - URE-Y 20040123 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Gladkov, Petar - Nohavica, DušanOrigin of the PL-band characteristic for the GaAs-on-GaInP interface in GaAs/GaInP/GaAs/double heterosructures.
[Interpretace FL spektra z rozhraní GaAs na GaInP v heterostrukturách GaAs/GaInP/GaAs.]
ASDAM'2004. Proceedings of the Fifth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Piscataway: IEEE, 2004 - (Osvald, J.; Haščík, Š.), s. 17-20. ISBN 0-7803-8535-7.
[Advanced Semiconductor Devices and Microsystems - ASDAM'04 /5./. Smolenice (SK), 17.10.2004-21.10.2004]
Grant CEP: GA MŠMT(CZ) ME 697
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: semiconductors * photoluminescence
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0013148
