0105962 - URE-Y 20040122 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Nohavica, Dušan - Gladkov, Petar - Žďánský, Karel
Preparation and properties of GaInP₂/GaAs heterostructures.
[Příprava a vlastnosti heterostruktur GaInP₂/GaAs.]
ASDAM'2004. Proceedings of the Fifth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Piscataway: IEEE, 2004 - (Osvald, J.; Haščík, Š.), s. 57-60. ISBN 0-7803-8535-7.
[Advanced Semiconductor Devices and Microsystems - ASDAM'04 /5./. Smolenice (SK), 17.10.2004-21.10.2004]
Grant CEP: GA MŠMT ME 610
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z2067918
Klíčová slova: semiconductors * photoluminescence * electric properties
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0013147