Košík

0099074 - FZÚ 2008 RIV SK eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hospodková, Alice - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Kuldová, Karla - Oswald, Jiří - Vyskočil, Jan - Mates, Tomáš - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav
Properties of single and double InAs quantum dot structures with strain reducing In_xGa_1-xAs matrix and covering layers.
[Vlastnosti struktur s jednoduchými a dvojitými InAs kvantovými tečkami a InGaAs zárodečnými a krycími vrstvami redukujícími pnutí.]
EW-MOVPE XII. Bratislava: Institut of Electrical Engineering, 2007, s. 343-346. ISBN N.
[European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy /12./. Bratislava (SK), 03.06.2007-06.06.2007]
Grant CEP: GA ČR GA202/06/0718; GA ČR GA202/05/0242; GA AV ČR IAA100100719; GA AV ČR KJB101630601
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: quantum dot * InAs * InGaAs * MOVPE
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0157817