Košík

  1. 1.
    0089695 - ÚFE 2008 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
    Gladkov, Petar
    Photoluminescence properties of GaSb epitaxial layers passivated in hydrogen plasma.
    [Fotoluminiscenční vlastnosti epitaxních vrstev GaSb pasivovaných ve vodíkové plasmě.]
    Physica Status Solidi A. Roč. 204, č. 4 (2007), s. 1030-1033. ISSN 0031-8965
    Grant CEP: GA MŠMT ME 834
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z20670512
    Klíčová slova: photoluminescence * semiconductors * galvanomagnetic effects
    Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
    Impakt faktor: 1.214, rok: 2007
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0150826
     
     

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.