Košík

0079153 - FZÚ 2007 RIV CA eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Hulicius, Eduard - Hospodková, Alice - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Kuldová, Karla - Mates, Tomáš - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav
Influence of MOVPE technological parameters on InAs/GaAs quantum dots properties.
[Vliv technologických parametrů MOVPE na vlastnosti InAs/GaAs kvantových teček.]
International Symposium on CompoundSemiconductors /33./. Vancouver: UBC, 2006 - (Harris, J.), s. 170-170
[International Symposium on Compound Semiconductors /33./. Vancouver (CA), 13.08.2006-17.08.2006]
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
Klíčová slova: MOVPE * quantum dot * GaAs * InAs
Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0003907