Košík

  1. 1.
    0040009 - FZÚ 2007 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
    Kindl, Dobroslav - Hubík, Pavel - Krištofik, Jozef - Mareš, Jiří J. - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Výborný, Zdeněk - Toušková, J.
    Transport-controlling deep defects in MOVPE grown GaSb.
    [Hluboké defekty určující transport v GaSb připraveném metodou MOVPE.]
    Semiconductor Science and Technology. Roč. 21, - (2006), s. 180-183. ISSN 0268-1242. E-ISSN 1361-6641
    Grant CEP: GA ČR(CZ) GA202/03/0410; GA AV ČR(CZ) IAA1010404
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: deep levels * GaSb * , MOVPE
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.586, rok: 2006
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0133879
     
     

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.