0023779 - FZÚ 2006 RIV US eng C - Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Jackiv, R. - Třebický, T. - Voves, J. - Výborný, Zdeněk - Cukr, Miroslav - Jurka, VlastimilExperimental and theoretical study of the I-V bistabilities of resonant tunneling diodes.
[Experimentální a teoretická studie I-V bistabilit u rezonančních tunelovacích.]
Proceedings of the International Conference of Microelectronics /24./. Piscataway: IEEE, 2004 - (Stojanovič, N.), s. 359-362. 1. ISBN 0-7803-8166-1.
[International Conference om Microelectronics /24./. Niš (YU), 16.05.2004-19.05.2004]
Grant CEP: GA AV ČR(CZ) IBS1010004
Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z1010914
Klíčová slova: resonant tunneling diode * MBE * I-V characteristics * Wingreen simulator * transfer-matrix method.
Kód oboru RIV: JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0114431
