Počet záznamů: 1  

Optoelectronic properties of thin film amorphous hydrogenated silicon carbide diodes deposited on transparent boron-doped diamond

  1. 1.
    SYSNO0521853
    NázevOptoelectronic properties of thin film amorphous hydrogenated silicon carbide diodes deposited on transparent boron-doped diamond
    Tvůrce(i) Remeš, Zdeněk (FZU-D) RID, ORCID
    Stuchlíková, The-Ha (FZU-D) RID, ORCID
    Mortet, Vincent (FZU-D) RID, ORCID
    Ashcheulov, Petr (FZU-D) ORCID, RID
    Taylor, Andrew (FZU-D) RID, ORCID
    Stuchlík, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
    Zdroj.dok. Hasselt diamond workshop 2019 - SBDD XXIV. S. 150-150. - Hasselt : SBDD XXIV, 2019
    Konference Hasselt diamond workshop 2019 - SBDD XXIV, 13.03.2019 - 15.03.2019, Hasselt
    Druh dok.Abstrakt
    Grant CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760, XE - země EU
    EF16_019/0000760 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, CZ - Česká republika
    LTC17029 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, CZ - Česká republika
    GC19-02858J GA ČR - Grantová agentura ČR
    Institucionální podporaFZU-D - RVO:68378271
    Jazyk dok.eng
    Země vyd.BE
    Klíč.slova amorphous hydrogenated silicon carbide * boron-doped diamond
    Trvalý linkhttp://hdl.handle.net/11104/0306407
     
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.