Inhomogeneous Luminescence of InGaN/GaN Quantum Wells: Effect of Growth Temperature, Carrier Gas and the Buffer Layer Growth

Počet záznamů: 1

1.

SYSNO	0496211
Název	Inhomogeneous Luminescence of InGaN/GaN Quantum Wells: Effect of Growth Temperature, Carrier Gas and the Buffer Layer Growth
Tvůrce(i)	Dominec, Filip (FZU-D)_{RID, ORCID} Kuldová, Karla (FZU-D)_{RID, ORCID} Zíková, Markéta (FZU-D)_RID Pangrác, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Hospodková, Alice (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI}
Korespondující/senior	Dominec, Filip - Korespondující autor
Zdroj.dok.	Proceedings of the International Symposium on Growth of III-Nitrides ISGN-7. S. 153-153. - : University of Warsaw, 2018
Konference	International Symposium on Growth of III-Nitrides ISGN-7, 05.08.2018 - 10.08.2018, Warsaw
Druh dok.	Abstrakt
Grant	LO1603 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, CZ - Česká republika
	GA16-15569S GA ČR - Grantová agentura ČR
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
Jazyk dok.	eng
Země vyd.	PL
Klíč.slova	InGaN/GaN * QW * Buffer layer
Trvalý link	http://hdl.handle.net/11104/0289034

Počet záznamů: 1