Počet záznamů: 1

Design of InGaN/GaN MQW structure for scintillator applications

SYSNO	0496205
Název	Design of InGaN/GaN MQW structure for scintillator applications
Tvůrce(i)	Hospodková, Alice (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Hubáček, Tomáš (FZU-D)_ORCID Zíková, Markéta (FZU-D)_RID Dominec, Filip (FZU-D)_{RID, ORCID} Oswald, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID} Kuldová, Karla (FZU-D)_{RID, ORCID} Hájek, František (FZU-D)_ORCID Vaněk, Tomáš (FZU-D)_ORCID Jarý, Vítězslav (FZU-D)_{RID, ORCID}
Korespondující/senior	Hospodková, Alice - Korespondující autor
Zdroj.dok.	Proceedings of the International Symposium on Growth of III-Nitrides ISGN-7. S. 256-256. - : University of Warsaw, 2018
Konference	International Symposium on Growth of III-Nitrides ISGN-7, 05.08.2018 - 10.08.2018, Warsaw
Druh dok.	Abstrakt
Grant	GA16-11769S GA ČR - Grantová agentura ČR
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
Jazyk dok.	eng
Země vyd.	PL
Klíč.slova	InGaN/GaN * MQW structure * scintillator
Trvalý link	http://hdl.handle.net/11104/0289031

Počet záznamů: 1