Počet záznamů: 1

Use of Low Temperature Buffer Layer to Suppress the Contamination of InGaN/GaN Quantum Wells

SYSNO	0496195
Název	Use of Low Temperature Buffer Layer to Suppress the Contamination of InGaN/GaN Quantum Wells
Tvůrce(i)	Zíková, Markéta (FZU-D)_RID Hospodková, Alice (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Pangrác, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Hubáček, Tomáš (FZU-D)_ORCID Dominec, Filip (FZU-D)_{RID, ORCID} Oswald, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID} Kuldová, Karla (FZU-D)_{RID, ORCID} Hulicius, Eduard (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI}
Korespondující/senior	Zíková, Markéta - Korespondující autor
Zdroj.dok.	Proceedings of the International Symposium on Growth of III-Nitrides ISGN-7. S. 156-156. - : University of Warsaw, 2018
Konference	International Symposium on Growth of III-Nitrides ISGN-7, 05.08.2018 - 10.08.2018, Warsaw
Druh dok.	Abstrakt
Grant	LO1603 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, CZ - Česká republika
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
Jazyk dok.	eng
Země vyd.	PL
Klíč.slova	InGaN/GaN * quantum wells * scintillator * low temperature buffer
Trvalý link	http://hdl.handle.net/11104/0289021

Počet záznamů: 1