Počet záznamů: 1

Influence of Different InGaN/(In)GaN Growth Modes on Indium Incorporation and Quality of Layers

SYSNO	0496190
Název	Influence of Different InGaN/(In)GaN Growth Modes on Indium Incorporation and Quality of Layers
Tvůrce(i)	Hubáček, Tomáš (FZU-D)_ORCID Hospodková, Alice (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Pangrác, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Zíková, Markéta (FZU-D)_RID Oswald, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID} Kuldová, Karla (FZU-D)_{RID, ORCID} Hulicius, Eduard (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI}
Korespondující/senior	Hubáček, Tomáš - Korespondující autor
Zdroj.dok.	Proceedings of the International Symposium on Growth of III-Nitrides ISGN-7. S. 155-155. - : University of Warsaw, 2018
Konference	International Symposium on Growth of III-Nitrides ISGN-7, 05.08.2018 - 10.08.2018, Warsaw
Druh dok.	Abstrakt
Grant	LO1603 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, CZ - Česká republika
	GA16-15569S GA ČR - Grantová agentura ČR
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
Jazyk dok.	eng
Země vyd.	PL
Klíč.slova	InGaN * QW capping * MOVPE
Trvalý link	http://hdl.handle.net/11104/0289016

Počet záznamů: 1