Počet záznamů: 1

Increasing scintillator active region thickness by InGaN/GaN QW number

SYSNO	0496184
Název	Increasing scintillator active region thickness by InGaN/GaN QW number
Tvůrce(i)	Vaněk, Tomáš (FZU-D)_ORCID Hospodková, Alice (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Hubáček, Tomáš (FZU-D)_ORCID Kuldová, Karla (FZU-D)_{RID, ORCID} Oswald, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID} Pangrác, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Dominec, Filip (FZU-D)_{RID, ORCID} Zíková, Markéta (FZU-D)_RID Vetushka, Aliaksi (FZU-D)_{RID, ORCID}
Korespondující/senior	Vaněk, Tomáš - Korespondující autor
Zdroj.dok.	Proceedings of the International Symposium on Growth of III-Nitrides ISGN-7. S. 151-151. - : University of Warsaw, 2018
Konference	International Symposium on Growth of III-Nitrides ISGN-7, 05.08.2018 - 10.08.2018, Warsaw
Druh dok.	Abstrakt
Grant	LO1603 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, CZ - Česká republika
	GA16-15569S GA ČR - Grantová agentura ČR
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
Jazyk dok.	eng
Země vyd.	PL
Klíč.slova	InGaN/GaN * QW number
Trvalý link	http://hdl.handle.net/11104/0289013

Počet záznamů: 1