Počet záznamů: 1

MOVPE growth of InGaN/GaN MQW nitride scintillator structure

SYSNO	0479290
Název	MOVPE growth of InGaN/GaN MQW nitride scintillator structure
Tvůrce(i)	Hospodková, Alice (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Hubáček, Tomáš (FZU-D)_ORCID Pangrác, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Oswald, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID} Hývl, Matěj (FZU-D)_ORCID Zíková, Markéta (FZU-D)_RID Hulicius, Eduard (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI}
Zdroj.dok.	EWMOVPE 17 - 17th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy. S. 114-117. - Grenoble, 2017 / Eymery J.
Konference	EWMOVPE 17 - 17th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy, 18.06.2017 - 21.06.2017, Grenoble
Druh dok.	Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
Grant	GA16-11769S GA ČR - Grantová agentura ČR
	CZ.2.16/3.1.00/24510, XE - země EU
	LO1603 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
Jazyk dok.	eng
Země vyd.	FR
Klíč.slova	MOVPE * nitrides * scintillator * quantum well
URL	http://inac.cea.fr/en/Phocea/Page/index.php?id=215&ref=193
Trvalý link	http://hdl.handle.net/11104/0275558

Počet záznamů: 1