Počet záznamů: 1  

Surface structure of MOVPE-prepared GaP(111)B

  1. 1.
    SYSNO0471521
    NázevSurface structure of MOVPE-prepared GaP(111)B
    Tvůrce(i) Kleinschmidt, P. (DE)
    Mutombo, Pingo (FZU-D) RID, ORCID
    Romanyuk, Olexandr (FZU-D) RID, ORCID
    Himmerlich, M. (DE)
    Berthold, T. (DE)
    Wen, X. (DE)
    Zhao, W. (DE)
    Nägelein, A. (DE)
    Steidl, M. (DE)
    Paszuk, A. (DE)
    Brückner, S. (DE)
    Supplie, O. (DE)
    Krischok, S. (DE)
    Hannappel, T. (DE)
    Zdroj.dok. 31th DGKK Workshop Epitaxy of III/V Semiconductors. S. 25-25. - Berlin : DGKK, 2016
    Konference 31th DGKK Workshop Epitaxy of III/V Semiconductors, 08.12.2016, Duisburg - 09.12.2016
    Druh dok.Abstrakt
    Institucionální podporaFZU-D - RVO:68378271
    Jazyk dok.eng
    Země vyd.DE
    Klíč.slova GaP(111) * surface reconstruction * MOVPE * STM
    Trvalý linkhttp://hdl.handle.net/11104/0268897
     
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.