Počet záznamů: 1
GaP-on-Si heterointerfaces and quasisubstrate growth studied in situ during MOVPE
- 1.
SYSNO 0471296 Název GaP-on-Si heterointerfaces and quasisubstrate growth studied in situ during MOVPE Tvůrce(i) Supplie, O. (DE)
Brückner, S. (DE)
May, M.M. (DE)
Kleinschmidt, P. (DE)
Nägelein, A. (DE)
Paszuk, A. (DE)
Romanyuk, Olexandr (FZU-D) RID, ORCID
Grosse, F. (DE)
Hannappel, T. (DE)Zdroj.dok. GCCCG-1/DKT2016. S. 40. - Dresden : TU Dresden, 2016 Konference German Czechoslovak Conference on Crystal Growth (GCCCG-1) /1./, 16.03.2016 - 18.03.2016, Dresden Druh dok. Abstrakt Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Jazyk dok. eng Země vyd. DE Klíč.slova GaP/Si * MOVPE * heterointerface Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0268689
Počet záznamů: 1