Počet záznamů: 1  

Origin of the yellow luminescence band in nitride based semiconductors prepared by the MOVPE technology

  1. 1.
    SYSNO0464508
    NázevOrigin of the yellow luminescence band in nitride based semiconductors prepared by the MOVPE technology
    Tvůrce(i) Zíková, Markéta (FZU-D) RID
    Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
    Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
    Zdroj.dok.GCCCG-1/DKT2016. S. 99. - Dresden : TU Dresden, 2016
    Konference German Czechoslovak Conference on Crystal Growth (GCCCG-1) /1./, 16.03.2016 - 18.03.2016, Dresden
    Druh dok.Abstrakt
    Grant GA16-11769S GA ČR - Grantová agentura ČR
    LO1603 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    Institucionální podporaFZU-D - RVO:68378271
    Jazyk dok.eng
    Země vyd.DE
    Klíč.slova yellow band luminescence * GaN * InGaN * AlGaN * MOVPE
    Trvalý linkhttp://hdl.handle.net/11104/0263391
     
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.