Počet záznamů: 1

Devices based on InGaN/GaN multiple quantum well for scintillator and detector applications

SYSNO	0464495
Název	Devices based on InGaN/GaN multiple quantum well for scintillator and detector applications
Tvůrce(i)	Hospodková, Alice (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Nikl, Martin (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Pacherová, Oliva (FZU-D)_{RID, ORCID} Oswald, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID} Foltynski, B. (DE) Brůža, P. (CZ) Pánek, D. (CZ) Beitlerová, Alena (FZU-D)_{RID, ORCID} Oeztuerk, M. (CZ) Heuken, M. (DE) Hulicius, Eduard (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI}
Zdroj.dok.	SMEOS 2016 - Sensors, MEMS and Electro-Optical Systems /4./.Abstracts. S. 62-62. - Skukuza : SPIE, 2016 / Schutte C.
Konference	SMEOS 2016 - Sensors, MEMS and Electro-Optical Systems /4./, 12.09.2016 - 14.09.2016, Skukuza
Druh dok.	Abstrakt
Grant	GA16-11769S GA ČR - Grantová agentura ČR
	LM2011026 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, CZ - Česká republika
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
Jazyk dok.	eng
Země vyd.	ZA
Klíč.slova	InGaN/GaN QWs * yellow luminescence * photoluminescence * x-ray diffraction
Trvalý link	http://hdl.handle.net/11104/0263376

Počet záznamů: 1