Počet záznamů: 1
Nanostructures grown by MOVPE InAs/InGaAs/Ga(Sb)As quantum dot and GaN/InGaN quantum well structures
- 1.
SYSNO 0463746 Název Nanostructures grown by MOVPE InAs/InGaAs/Ga(Sb)As quantum dot and GaN/InGaN quantum well structures Tvůrce(i) Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Zíková, Markéta (FZU-D) RID
Vyskočil, Jan (FZU-D) RID
Kuldová, Karla (FZU-D) RID, ORCID
Melichar, Karel (FZU-D)
Hubáček, Tomáš (FZU-D) ORCID
Walachová, J. (CZ)
Vaniš, J. (CZ)
Křápek, V. (CZ)
Humlíček, J. (CZ)
Nikl, Martin (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Pacherová, Oliva (FZU-D) RID, ORCID
Brůža, P. (CZ)
Pánek, D. (CZ)
Foltynski, B. (DE)
Oeztuerk, M. (CZ)
Heuken, M. (DE)
Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAIZdroj.dok. GCCCG-1/DKT2016. S. 38. - Dresden : TU Dresden, 2016 Konference German Czechoslovak Conference on Crystal Growth (GCCCG-1) /1./, 16.03.2016 - 18.03.2016, Dresden Druh dok. Abstrakt Grant GA13-15286S GA ČR - Grantová agentura ČR GP14-21285P GA ČR - Grantová agentura ČR, CZ - Česká republika LM2011026 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, CZ - Česká republika Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Jazyk dok. eng Země vyd. DE Klíč.slova MOVPE * InAs quantum dot * GaAsSb SRL * GaInN quantum well * GaN * GaAs Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0262837
Počet záznamů: 1