Počet záznamů: 1
Control over epitaxy and the role of the InAs/Al interface in hybrid two-dimensional electron gas systems
- 1.
SYSNO 0575228 Název Control over epitaxy and the role of the InAs/Al interface in hybrid two-dimensional electron gas systems Tvůrce(i) Cheah, E. (CH)
Haxell, D.Z. (CH)
Schott, R. (CH)
Zeng, P. (CH)
Paysen, E. (DE)
ten Kate, S.C. (CH)
Coraiola, M. (CH)
Landstetter, M. (CH)
Zadeh, A.B. (CH)
Trampert, A. (DE)
Sousa, M. (CH)
Riel, H. (CH)
Nichele, F. (CH)
Wegscheider, W. (CH)
Křížek, Filip (FZU-D) ORCIDZdroj.dok. Physical Review Materials. Roč. 7, č. 7 (2023). - : American Physical Society Číslo článku 073403 Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant GM22-22000M GA ČR - Grantová agentura ČR, CZ - Česká republika Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Jazyk dok. eng Země vyd. US Klíč.slova InAs shallow quantum well * superconductor semiconductor interface * epitaxial Al * hybrid 2DEG URL https://hdl.handle.net/11104/0348792 Trvalý link https://hdl.handle.net/11104/0348792 Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0575228.pdf 0 16.4 MB CC licence Vydavatelský postprint povolen
Počet záznamů: 1