The influence of Si on the properties of MOVPE grown GaN thin films: Optical and EPR study

Počet záznamů: 1

1.

SYSNO	0561462
Název	The influence of Si on the properties of MOVPE grown GaN thin films: Optical and EPR study
Tvůrce(i)	Buryi, Maksym (FZU-D)_{RID, ORCID} Babin, Vladimir (FZU-D)_{RID, ORCID} Hubáček, Tomáš (FZU-D)_ORCID Jarý, Vítězslav (FZU-D)_{RID, ORCID} Hájek, František (FZU-D)_ORCID Kuldová, Karla (FZU-D)_{RID, ORCID} Artemenko, Anna (FZU-D)_{RID, ORCID} Hospodková, Alice (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI}
Korespondující/senior	Buryi, Maksym - Korespondující autor
Zdroj.dok.	Radiation Measurements. Roč. 157, Sep (2022). - : Elsevier
Číslo článku	106842
Druh dok.	Článek v odborném periodiku
Grant	GJ20-05497Y GA ČR - Grantová agentura ČR, CZ - Česká republika
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
Jazyk dok.	eng
Země vyd.	GB
Klíč.slova	GaN * thin films * Si doping * luminescence * EPR
URL	https://doi.org/10.1016/j.radmeas.2022.106842
Trvalý link	https://hdl.handle.net/11104/0334173

Počet záznamů: 1