Počet záznamů: 1
High polarization and wake-up free ferroelectric characteristics in ultrathin Hf.sub.0.5./sub.Zr.sub.0.5./sub.O.sub.2./sub. devices by control of oxygen-deficient layer
- 1.
SYSNO 0553457 Název High polarization and wake-up free ferroelectric characteristics in ultrathin Hf0.5Zr0.5O2 devices by control of oxygen-deficient layer Tvůrce(i) Yadav, M. (KR)
Kashir, Alireza (FZU-D) ORCID
Oh, S. (KR)
Nikam, R.D. (KR)
Kim, H. (KR)
Jang, H. (KR)
Hwang, H. (KR)Zdroj.dok. Nanotechnology. Roč. 33, č. 8 (2022). - : Institute of Physics Publishing Číslo článku 085206 Druh dok. Článek v odborném periodiku Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Jazyk dok. eng Země vyd. GB Klíč.slova interfacial layer * annealing temperature * remnant polarization * sub-5 nm HZO * wakeup free * TEM * XPS URL https://doi.org/10.1088/1361-6528/ac3a38 Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0330727 Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0553457AP.pdf 1 1.1 MB Autorský postprint povolen
Počet záznamů: 1