Transport properties of AlGaN/GaN HEMT structures with back barrier: impact of dislocation density and improved design

Počet záznamů: 1

1.

SYSNO	0543533
Název	Transport properties of AlGaN/GaN HEMT structures with back barrier: impact of dislocation density and improved design
Tvůrce(i)	Hájek, František (FZU-D)_ORCID Hospodková, Alice (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Hubík, Pavel (FZU-D)_{RID, ORCID} Gedeonová, Zuzana (FZU-D)_ORCID Hubáček, Tomáš (FZU-D)_ORCID Pangrác, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Kuldová, Karla (FZU-D)_{RID, ORCID}
Korespondující/senior	Hospodková, Alice - Korespondující autor
Zdroj.dok.	Semiconductor Science and Technology. Roč. 36, č. 7 (2021). - : Institute of Physics Publishing
Číslo článku	075016
Druh dok.	Článek v odborném periodiku
Grant	LM2018110 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
	LTAIN19163 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, CZ - Česká republika
	CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760, XE - země EU
	EF16_019/0000760 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, CZ - Česká republika
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
Jazyk dok.	eng
Země vyd.	GB
Klíč.slova	HEMT * GaN * metalorganic vapor phase epitaxy
URL	http://hdl.handle.net/11104/0320728
Trvalý link	http://hdl.handle.net/11104/0320728

	Název souboru	Staženo	Velikost	Komentář	Verze	Přístup
	0543533.pdf	1	1.1 MB		Autorský postprint	povolen

Počet záznamů: 1