Počet záznamů: 1
Atomic-scale charge distribution mapping of single substitutional p- and n-type dopants in graphene
- 1.
SYSNO 0539691 Název Atomic-scale charge distribution mapping of single substitutional p- and n-type dopants in graphene Tvůrce(i) Mallada Faes, Benjamin Jose (FZU-D) ORCID, RID
Edalatmanesh, S. (CZ)
Lazar, P. (CZ)
López, Roso Redondo Jesús R. (FZU-D) ORCID
Gallardo Caparrós, Aurelio Jesús (FZU-D) ORCID
Zbořil, Radek (UOCHB-X) [610/61] ORCID
Jelínek, Pavel (FZU-D) RID, ORCID
Švec, Martin (FZU-D) RID, ORCID
De La Torre Cerdeño, Bruno (FZU-D) ORCIDZdroj.dok. ACS Sustainable Chemistry & Engineering. Roč. 8, č. 8 (2020), s. 3437-3444. - : American Chemical Society Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant AP1601, CZ - Česká republika GA18-09914S GA ČR - Grantová agentura ČR, CZ - Česká republika GX19-27454X GA ČR - Grantová agentura ČR, CZ - Česká republika GJ17-24210Y GA ČR - Grantová agentura ČR Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 ; UOCHB-X - RVO:61388963 Jazyk dok. eng Země vyd. US Klíč.slova electronic-structure * SPM * graphene * doping * DFT URL https://doi.org/10.1021/acssuschemeng.9b07623 Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0317401
Počet záznamů: 1