Počet záznamů: 1  

Rippled Metallic-Nanowire/Graphene/Semiconductor Nanostack for a Gate-Tunable Ultrahigh-Performance Stretchable Phototransistor

  1. 1.
    SYSNO0533057
    NázevRippled Metallic-Nanowire/Graphene/Semiconductor Nanostack for a Gate-Tunable Ultrahigh-Performance Stretchable Phototransistor
    Tvůrce(i) Haider, Golam (UFCH-W) ORCID, RID
    Wang, Y. H. (CN)
    Farjana, Jaishmin Sonia (UFCH-W) ORCID, RID
    Chiang, Ch.-W. (CN)
    Frank, Otakar (UFCH-W) RID, ORCID
    Vejpravová, J. (CZ)
    Kalbáč, Martin (UFCH-W) RID, ORCID
    Chen, Y.-F. (CN)
    Korespondující/seniorKalbáč, Martin - Korespondující autor
    Chen, Y.-F. - Korespondující autor
    Zdroj.dok. Advanced Optical Materials. Roč. 8, č. 19 (2020). - : Wiley
    Číslo článku2000859
    Druh dok.Článek v odborném periodiku
    Grant GX20-08633X GA ČR - Grantová agentura ČR, CZ - Česká republika
    EF16_027/0008355 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, CZ - Česká republika
    LTAUSA19001 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, CZ - Česká republika
    CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_026/0008382, CZ - Česká republika
    EF16_026/0008382 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    Institucionální podporaUFCH-W - RVO:61388955
    Jazyk dok.eng
    Země vyd.DE
    Klíč.slova zinc-oxide nanostructures * hybrid graphene * strain sensors * electronics * photodetectors * responsivity * transistors * skin * mechanics * pressure * gate-tunable phototransistor * single-layer graphene * stretchable phototransistor * ultrahigh responsivity * ZnO nanoparticles
    URLhttp://hdl.handle.net/11104/0311556
    Trvalý linkhttp://hdl.handle.net/11104/0311556
    Název souboruStaženoVelikostKomentářVerzePřístup
    0533057.pdf25.1 MBVydavatelský postprintvyžádat
     
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.