Počet záznamů: 1  

Koloidní difuzní zdroj bóru pro přípravu dotovaného křemíku typu P

  1. 1.
    SYSNO0523531
    NázevKoloidní difuzní zdroj bóru pro přípravu dotovaného křemíku typu P
    Překlad názvuColloidal boron diffusion source for the preparation of doped P-type silicon
    Tvůrce(i) Mrázek, Jan (URE-Y) RID, ORCID
    Vyd. údaje2019
    VlastníkÚstav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i.
    Datum udělení vzoru30.09.2019
    Číslo vzoru33261
    Druh vzoruU - Užitný vzor
    Kategorie vzoruE - Úřad průmyslového vlastnictví (patentový úřad ČR)
    Kód vydavatele patentuCZ001 - Úřad průmyslového vlastnictví Prague
    Druh dok.Užitný a průmyslový vzor
    Grant FV30151 GA MPO - Ministerstvo průmyslu a obchodu, CZ - Česká republika
    Institucionální podporaURE-Y - RVO:67985882
    Jazyk dok.cze
    Klíč.slova semiconductor * boron * colloid
    URLhttp://hdl.handle.net/11104/0307887
    Trvalý linkhttp://hdl.handle.net/11104/0307887
    Název souboruStaženoVelikostKomentářVerzePřístup
    UFE 0523531.pdf4127.7 KBVydavatelský postprintpovolen
     
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.