Počet záznamů: 1
Improvement of GaN crystalline quality by SiN.sub.x./sub. layer grown by MOVPE
- 1.
SYSNO 0520842 Název Improvement of GaN crystalline quality by SiNx layer grown by MOVPE Tvůrce(i) Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Slavická Zíková, Markéta (FZU-D)
Hubáček, Tomáš (FZU-D) ORCID
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Kuldová, Karla (FZU-D) RID, ORCID
Hájek, František (FZU-D) ORCID
Dominec, Filip (FZU-D) RID, ORCID
Vetushka, Aliaksi (FZU-D) RID, ORCID
Hasenöhrl, S. (SK)Korespondující/senior Slavická Zíková, Markéta - Korespondující autor Zdroj.dok. Lithuanian Journal of Physics. Roč. 59, č. 4 (2019), s. 179-186. - : Lithuanian Academy of Sciences Publishers Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant LO1603 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, CZ - Česká republika GA16-11769S GA ČR - Grantová agentura ČR, CZ - Česká republika TH02010014 GA TA ČR - Technologická agentura ČR Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Jazyk dok. eng Země vyd. LT Klíč.slova dislocations * MOVPE * GaN * SiNx * photoluminescence URL http://hdl.handle.net/11104/0305500 Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0305500 Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup 0520842.pdf 0 3 MB OA časopis Vydavatelský postprint povolen
Počet záznamů: 1