Optoelectronic properties of hydrogenated amorphous substoichiometric silicon carbide with low carbon content deposited at high temperature on semi-transparent boron-doped diamond

Počet záznamů: 1

1.

SYSNO	0511336
Název	Optoelectronic properties of hydrogenated amorphous substoichiometric silicon carbide with low carbon content deposited at high temperature on semi-transparent boron-doped diamond
Tvůrce(i)	Remeš, Zdeněk (FZU-D)_{RID, ORCID} Stuchlík, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID} Stuchlíková, The-Ha (FZU-D)_{RID, ORCID} Dragounová, K. (CZ) Ashcheulov, Petr (FZU-D)_{ORCID, RID} Taylor, Andrew (FZU-D)_{RID, ORCID} Mortet, Vincent (FZU-D)_{RID, ORCID} Poruba, Aleš (FZU-D)_RID
Korespondující/senior	Remeš, Zdeněk - Korespondující autor
Zdroj.dok.	Physica Status Solidi A : Applications and Materials Science. Roč. 216, č. 21 (2019), s. 1-6. - : Wiley
Číslo článku	1900241
Druh dok.	Článek v odborném periodiku
Grant	CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760, XE - země EU
	EF16_019/0000760 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, CZ - Česká republika
	GC19-02858J GA ČR - Grantová agentura ČR
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
Jazyk dok.	eng
Země vyd.	DE
Klíč.slova	silicon carbide * boron-doped diamond * diode * photothermal deflection spectroscopy * Raman spectroscopy * infrared spectroscopy * current-voltage characteristics
URL	https://doi.org/10.1002/pssa.201900241
Trvalý link	http://hdl.handle.net/11104/0301632

Počet záznamů: 1