Počet záznamů: 1
Damage accumulation and structural modification in a- and c-plane GaN implanted with 400-keV and 5-MeV Au+ ions
- 1.
SYSNO 0496731 Název Damage accumulation and structural modification in a- and c-plane GaN implanted with 400-keV and 5-MeV Au+ ions Tvůrce(i) Macková, Anna (UJF-V) [ONF] RID, ORCID, SAI
Malinský, Petr (UJF-V) [ONF] RID, ORCID, SAI
Jagerová, Adéla (UJF-V) [ONF] ORCID, SAI
Sofer, Z. (CZ)
Sedmidubský, D. (CZ)
Klímová, K. (CZ)
Bottger, R. (DE)
Akhmadaliev, S. (DE)Korespondující/senior Macková, Anna - Korespondující autor Zdroj.dok. Surface and Interface Analysis. Roč. 50, č. 11 (2018), s. 1099-1105. - : Wiley Konference 17th European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis (ECASIA 2017), 24.09.2017 - 29.09.2017, Monpellier Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant EF16_013/0001812 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy LM2015056 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GA15-01602S GA ČR - Grantová agentura ČR Institucionální podpora UJF-V - RVO:61389005 Jazyk dok. eng Země vyd. US Klíč.slova damage accumulation in GaN * RBS channeling in ion-modified GaN * structure modification in c-plane and a-plane GaN Spolupracující instituce Univerzita Jana Evangelisty Purkyně v Ústí nad Labem (Česká republika)
Vysoká škola chemicko-technologická v Praze (Česká republika)Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0289383
Počet záznamů: 1