GaAsSb-capped InAs QD type-II solar cell structures improvement by composition profiling of layers surrounding QD

Počet záznamů: 1

1.

SYSNO	0484348
Název	GaAsSb-capped InAs QD type-II solar cell structures improvement by composition profiling of layers surrounding QD
Tvůrce(i)	Hospodková, Alice (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Vyskočil, Jan (FZU-D)_RID Zíková, Markéta (FZU-D)_RID Oswald, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID} Pangrác, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Petříček, Otto (FZU-D)_RID
Zdroj.dok.	Materials Research Express. Roč. 4, č. 2 (2017), s. 1-8. - : Institute of Physics Publishing
Číslo článku	025502
Druh dok.	Článek v odborném periodiku
Grant	GP14-21285P GA ČR - Grantová agentura ČR, CZ - Česká republika
	LO1603 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, CZ - Česká republika
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
Jazyk dok.	eng
Země vyd.	GB
Klíč.slova	GaAsSb * InAs * InGaAs * quantum dot * solar cells * MOVPE
Trvalý link	http://hdl.handle.net/11104/0279501

Počet záznamů: 1