Počet záznamů: 1  

Structural and optical properties of vanadium ion-implanted GaN

  1. 1.
    SYSNO0479636
    NázevStructural and optical properties of vanadium ion-implanted GaN
    Tvůrce(i) Macková, Anna (UJF-V) [ONF] RID, ORCID, SAI
    Malinský, Petr (UJF-V) [ONF] RID, ORCID, SAI
    Jagerová, Adéla (UJF-V) [ONF] ORCID, SAI
    Sofer, Z. (CZ)
    Klímová, K. (CZ)
    Sedmidubský, D. (CZ)
    Mikulics, M. (DE)
    Lorinčík, Jan (URE-Y)
    Veselá, D. (CZ)
    Bottger, R. (DE)
    Akhmadaliev, S. (DE)
    Zdroj.dok. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B. Roč. 406, SEP (2017), s. 53-57. - : Elsevier
    Druh dok.Článek v odborném periodiku
    Grant GA13-20507S GA ČR - Grantová agentura ČR
    GA15-01602S GA ČR - Grantová agentura ČR
    LM2015056 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    Institucionální podporaUJF-V - RVO:61389005 ; URE-Y - RVO:67985882
    Jazyk dok.eng
    Země vyd.NL
    Klíč.slova GaN implantation * RBS-channelling * optical properties of metal-implanted GaN
    Spolupracující instituce Univerzita Jana Evangelisty Purkyně v Ústí nad Labem (Česká republika)
    Vysoká škola chemicko-technologická v Praze (Česká republika)
    Centrum výzkumu Řež (Česká republika)
    Trvalý linkhttp://hdl.handle.net/11104/0275610
     
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.