Počet záznamů: 1

Comparison of MOVPE grown GaAs, InGaAs and GaAsSb covering layers for different InAs/GaAs quantum dot applications

SYSNO	0474047
Název	Comparison of MOVPE grown GaAs, InGaAs and GaAsSb covering layers for different InAs/GaAs quantum dot applications
Tvůrce(i)	Zíková, Markéta (FZU-D)_RID Hospodková, Alice (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Pangrác, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Oswald, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID} Hulicius, Eduard (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI}
Zdroj.dok.	Journal of Crystal Growth. Roč. 464, Apr (2017), s. 59-63. - : Elsevier
Druh dok.	Článek v odborném periodiku
Grant	LO1603 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
Jazyk dok.	eng
Země vyd.	NL
Klíč.slova	MOVPE * quantum dot * strain reducing layer * InAs * GaAsSb * InGaAs
Trvalý link	http://hdl.handle.net/11104/0271146

Počet záznamů: 1