Počet záznamů: 1
GaN:Co epitaxial layers grown by MOVPE
- 1.
SYSNO 0456264 Název GaN:Co epitaxial layers grown by MOVPE Tvůrce(i) Šimek, P. (CZ)
Sedmidubský, D. (CZ)
Klímová, K. (CZ)
Mikulics, M. (DE)
Maryško, Miroslav (FZU-D) RID
Veselý, M. (CZ)
Jurek, Karel (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Sofer, Z. (CZ)Zdroj.dok. Journal of Crystal Growth. Roč. 44, Mar (2015), 62-68. - : Elsevier Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant GA13-20507S GA ČR - Grantová agentura ČR Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Jazyk dok. eng Země vyd. NL Klíč.slova doping * metalorganic vapor phase epitaxy * cobalt * gallium compounds * nitrides * magnetic materials spintronics Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0256820
Počet záznamů: 1