Počet záznamů: 1  

On the technological aspects of doped ZnO. Diamond heterojunction preparation and analysis

  1. 1.
    SYSNO0449863
    NázevOn the technological aspects of doped ZnO. Diamond heterojunction preparation and analysis
    Tvůrce(i) Marton, M. (SK)
    Mikolášek, M. (SK)
    Bruncko, J. (SK)
    Novotný, I. (SK)
    Ižák, Tibor (FZU-D) RID
    Kováčová, S. (SK)
    Vojs, M. (SK)
    Zdroj.dok. Nanosvet s vákuom. Nanoworld with vacuum. S. 20-24. - Bratislava : Slovenská vákuová spoločnosť, 2015 / Michalka M. ; Vincze A. ; Veselý M.
    Konference Škola vákuovej techniky /18./, Štrbské Pleso, 07.10.2015-11.10.2015
    Druh dok.Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Grant GBP108/12/G108 GA ČR - Grantová agentura ČR, CZ - Česká republika
    7AMB14SK024 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, CZ - Česká republika
    Institucionální podporaFZU-D - RVO:68378271
    Jazyk dok.eng
    Země vyd.SK
    Klíč.slova ZnO * diamond * heterojunction * electrical properties
    Trvalý linkhttp://hdl.handle.net/11104/0251288
     
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.