Počet záznamů: 1
Properties of boron-doped epitaxial diamond layers grown on (110) oriented single crystal substrates
- 1.
SYSNO 0448214 Název Properties of boron-doped epitaxial diamond layers grown on (110) oriented single crystal substrates Tvůrce(i) Mortet, Vincent (FZU-D) RID, ORCID
Pernot, J. (FR)
Jomard, F. (FR)
Soltani, A. (FR)
Remeš, Zdeněk (FZU-D) RID, ORCID
Barjon, J. (FR)
D´Haen, J. (BE)
Haenen, K. (BE)Zdroj.dok. Diamond and Related Materials. Roč. 35, Mar (2015), s. 29-34. - : Elsevier Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant GA13-31783S GA ČR - Grantová agentura ČR CZ.1.07/2.3.00/20.0306, XE - země EU Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Jazyk dok. eng Země vyd. CH Klíč.slova diamond * boron * doping * crystalline orientation Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0249965
Počet záznamů: 1