Počet záznamů: 1  

Properties of boron-doped epitaxial diamond layers grown on (110) oriented single crystal substrates

  1. 1.
    SYSNO0448214
    NázevProperties of boron-doped epitaxial diamond layers grown on (110) oriented single crystal substrates
    Tvůrce(i) Mortet, Vincent (FZU-D) RID, ORCID
    Pernot, J. (FR)
    Jomard, F. (FR)
    Soltani, A. (FR)
    Remeš, Zdeněk (FZU-D) RID, ORCID
    Barjon, J. (FR)
    D´Haen, J. (BE)
    Haenen, K. (BE)
    Zdroj.dok. Diamond and Related Materials. Roč. 35, Mar (2015), s. 29-34. - : Elsevier
    Druh dok.Článek v odborném periodiku
    Grant GA13-31783S GA ČR - Grantová agentura ČR
    CZ.1.07/2.3.00/20.0306, XE - země EU
    Institucionální podporaFZU-D - RVO:68378271
    Jazyk dok.eng
    Země vyd.CH
    Klíč.slova diamond * boron * doping * crystalline orientation
    Trvalý linkhttp://hdl.handle.net/11104/0249965
     
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.