Počet záznamů: 1
Thermal stability study of semimetal graphite n-InP and n-GaN Schottky diodes
- 1.
SYSNO 0395132 Název Thermal stability study of semimetal graphite n-InP and n-GaN Schottky diodes Tvůrce(i) Yatskiv, Roman (URE-Y) RID, ORCID
Grym, Jan (URE-Y)Zdroj.dok. Semiconductor Science and Technology. Roč. 28, č. 5 (2013). - : Institute of Physics Publishing Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant LD12014 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Institucionální podpora URE-Y - RVO:67985882 Jazyk dok. eng Země vyd. GB Klíč.slova Gallium nitride * Schottky barrier diodes * Graphite Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0223260 Název souboru Staženo Velikost Komentář Verze Přístup UFE 0395132.pdf 12 508.5 KB Jiná vyžádat
Počet záznamů: 1