Počet záznamů: 1  

Mn doping of GaN layers grown by MOVPE

  1. 1.
    SYSNO0385913
    NázevMn doping of GaN layers grown by MOVPE
    Tvůrce(i) Šimek, P. (CZ)
    Šofer, Z. (CZ)
    Sedmidubský, D. (CZ)
    Jankovský, O. (CZ)
    Hejtmánek, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
    Maryško, Miroslav (FZU-D) RID
    Václavů, M. (CZ)
    Mikulics, M. (DE)
    Zdroj.dok. Ceramics - Silikáty. Roč. 56, č. 2 (2012), s. 122-126. - : VŠCHT Praha. - : Ústav struktury a mechaniky hornin AV ČR, v. v. i.
    Druh dok.Článek v odborném periodiku
    Grant GA104/09/0621 GA ČR - Grantová agentura ČR
    CEZAV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011)
    Jazyk dok.eng
    Země vyd.CZ
    Klíč.slova metalorganic vapor phase epitaxy * nitrides * magnetic materials * semiconducting III-V materials
    Trvalý linkhttp://hdl.handle.net/11104/0215069
     
Počet záznamů: 1