Počet záznamů: 1  

Mapping of dopants in silicon by injection of electrons

    1.
    SYSNO0367280
    NázevMapping of dopants in silicon by injection of electrons
    Tvůrce(i) Hovorka, Miloš (UPT-D)
    Konvalina, Ivo (UPT-D) RID, ORCID, SAI
    Frank, Luděk (UPT-D) RID, SAI, ORCID
    Mikulík, P. (CZ)
    Zdroj.dok. MC 2011 - Microscopy Conference Kiel. IM7.P198:1-2. - Kiel : DGE, 2011
    Konference MC 2011 - Microscopy Conference, Kiel, 28.08.2011-02.09.2011
    Druh dok.Konferenční příspěvek (zahraniční konf.)
    Grant IAA100650902 GA AV ČR - Akademie věd
    GAP108/11/2270 GA ČR - Grantová agentura ČR
    CEZAV0Z20650511 - UPT-D (2005-2011)
    Jazyk dok.eng
    Země vyd.DE
    Klíč.slova dopant * silicon * scanning electron microscopy
    Trvalý linkhttp://hdl.handle.net/11104/0202020
     
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.

Přijmout všeNastaveníOdmítnout vše